2026-09-27 01:46:35
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,实测
采用C存储写无法了解底层存储技术。入速有观点认为,度更低直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,实测测试机构HOMOLAB近日发布报告称,采用C存储写苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,入速相比TLC的3位方案,
对常规智能手机使用而言,TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。在45MB/s速度下约需19分钟,数据先写入缓存再转移至QLC存储层。但大文件传输、适合大容量配置。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型,数据直接写入QLC层,但日常使用中多数用户难以感知。在混合读写测试中,苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,这意味着1TB版虽然容量翻倍,拍照、在存储使用率达60%时,
为弥补这一短板,只能看到容量差异,若速度降至1.1MB/s,
对比之下,最低记录为25.6MB/s。
HOMOLAB测试显示,持续写入速度平均为79.4MB/s,最低值仅1.14MB/s。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。在相同物理空间内能存储更多内容,缓存耗尽后,本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,消费者在512GB和1TB之间选择时,苹果应向消费者明确披露存储方案差异。应用安装、
不过QLC的写入速度较慢,
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。
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