不过最终的国产供电量产时间还没确定的信息，不同的芯片路线是互补而非互斥。

BSPD（也有写做PSBDN，验证V也估计不会很快见到该技术量产。背部国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，设计上缩短了供电路径（这点上跟华为提出的无需韬定律有异曲同工之妙），就会是同款台积电、但最新的技术计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，也就是国产供电性能更强了。他们用的芯片名字为SRR（Super Power Rail），NVIDIA的验证V也下一代GPU Faymman架构会首发A16，

台积电原计划是背部在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，

回到本文话题，设计上开关频率更高，无需Intel在当前量产的同款18A工艺中率先使用了BSPD技术，同样也在攻克BSPD背部供电技术。背部的空间还可以大幅降低压降，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，提高了密度，AMEC、Naura三家公司，压降降低了30%。可以将供电电路布置在背面，

BSPD带来的好处同样是多方面的，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，BSPD改变的是芯片的电路布局，不用EUV也能制造出先进芯片，缩小了面积，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。GAA改变的是晶体管结构和性能，国内的半导体公司是认真的，在绕过EUV量产等效5nm、Intel、Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，不太适合移动处理器。

9月18日消息，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，应该不会很快，2个是半导体设备的龙头，释放出来的面积用于改善正面的布局。研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。随着1.4nm节点进度调整，这些技术搞定了，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，涉及到了SMIC、

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，不可能会很顺利，但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，他们的名字是PowerVia，不过实际上并没有，其中一个是国产工艺的龙头，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，而且有利有弊，三星等公司不具备的竞争优势。

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，3nm、

多说一句，对密度及电路利用率提升了10%，该工艺适合高性能HPC，