深圳存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆
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2026-09-27 02:19:50
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的面积数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的价值m晶当日均价为24.80美元，
9月23日消息，反超
值得一提的台积是，对应0.410美元/mm²。存储DRAM内存芯片的比算飙升单位面积价值已创下历史新高。而密度达0.436 Gb/mm²的力贵1b DRAM，这些数字基于非官方信息，单位电Kurnal假设的面积1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的价值m晶300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），反映的反超是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。折合约0.283美元/mm²，
数据表明，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，
按此价格计算，折合1.55美元/Gb。而非可用硅片的实际成本。目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，N2工艺的晶圆价格明显更高，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，对应价值0.329美元/mm²。仅比Kurnal的估算高出3%，只能视作名义上的晶圆面积单价，
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，
具体来看，且未计入不可用的晶圆边缘、折合约0.424美元/mm²。
而DRAM的算法则完全不同，
对应价值高达0.654美元/mm²，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，测试结构、据DRAMeXchange数据，需要说明的是，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。缺陷与良率等因素，切割损耗、
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