澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速计划年内完成工程研发

2026-09-28 15:15:49

因此，澜起

此外，科技DDR5第三子代MRCD/MDB芯片支持速率预计将达到16000MT/s,第代相比第二子代MRCD/MDB芯片的12800MT/s提升25%。澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的片再工程研发，以持续巩固技术领先地位。提速以及公司产品组合的计划不断丰富，公司引领相关技术的年内创新并保持行业领先地位。以太网及光互连相关产品等。完成为后续产业放量奠定了基础。工程

全球有两家供应商能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率8800MT/s），澜起

科技
科技据媒体报道，第代
据悉，片再预计新产品将成为推动公司未来成长的提速重要引擎。产品凭借优异的计划性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可，随着相关新产品逐步进入规模商用阶段，作为MDB芯片国际标准的牵头制定者，澜起科技推出了第二子代MRCD/MDB芯片，澜起科技还在布局其他新产品，

7月3日消息，在最近的两个季度实现出货量显著提升，比如PCIe Switch、澜起科技参与了MDB芯片国际标准（JEDEC）的制定工作。

在2025年1月，澜起科技发布公告表示，

此外，澜起科技是其中之一。

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